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     【新闻网讯 周玉琴报道】磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，而所谓的巨磁阻则是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属或合金材料的磁电阻数值高10倍以上。 1994年IBM公司研制成基于巨磁阻效应的读出磁头，将磁盘记录密度一下子提高了17倍，从而在与光盘竞争中磁盘重新处于领先地位。由于巨磁阻多层膜在高密度读出磁头、磁存储元件上有广泛的应用前景，美国、日本和西欧都对发展巨磁阻材料及其在高技术上的应用投入很大的力量。纳米尺寸的磁性介质和磁头的需求使得目前的磁信息存储研究进入纳米科技领域。磁信息存储工业被认为是当今世界上最大的纳米技术工业。

    6月30日下午1点半，在中关村教学园区S301教室，来自于美国斯坦福大学的王善祥教授做了一个与上述内容密切相关的学术报告，题为“纳米磁矩技术”，这是“李政道讲座”的第五个报告。王教授先向同学们详细地介绍了巨磁阻(giant magnetoresistance)现象、磁隧穿结(magnetic tunnel junction)和自旋阀结构，然后讲述磁性随机存储器(magnetic random access memory，MRAM)的工作原理。紧接着，王教授把内容转到磁性纳米颗粒和纳米线的制备和性质上。最后，王教授着重地介绍了他领导的研究小组关于磁纳米技术在生物逻辑应用方面的一些结果。王教授的报告条理清晰，内容丰富，同学们觉得收获很大。

    王善祥1986年毕业于中国科技大学物理系，同年通过CUSPEA留美。1993年在美国卡内基梅隆大学(宾州)获电机系博士学位，并于同年到斯坦福大学材料系和电机系任助理教授，于2001年晋升副教授并同时被聘为该校终身教授。现任斯坦福大学信息存储材料中心(CRISM)主任。